[发明专利]用于提取鳍片高度和叠加电容的方法及实施该方法的结构有效
| 申请号： | 201210199906.1 | 申请日： | 2012-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN103292677A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 蔡明宏;刘筱函 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G01B7/02 | 分类号： | G01B7/02;G01R27/26;H01L23/544;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及用于提取鳍片高度和叠加电容的方法及实施该方法的结构。其中，第一测试结构包括第一隔离区、位于该第一隔离区上方的第一栅电极、第一和第二半导体鳍片、以及位于该第一和第二半导体鳍片上方的第一接触塞。第二测试结构包括第二隔离区、位于该第二隔离区上方的第二栅电极、第三半导体鳍片和电介质鳍片、以及位于所述第三半导体鳍片上方的第二接触塞。该第一、第二和第三半导体鳍片以及该电介质鳍片具有基本上相同的鳍片高度。一种方法包括测量第一栅电极和第一接触塞之间的第一电容；测量第二栅电极和第二接触塞之间的第二电容；以及由第二电容和第一电容之间的电容差值计算该相同的鳍片高度。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 提取 高度 叠加 电容 方法 实施 结构 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：提供第一测试结构，所述第一测试结构包括：第一隔离区；第一栅电极，位于所述第一隔离区上方；第一半导体鳍片和第二半导体鳍片，彼此平行并位于所述第一栅电极的一侧上；以及第一接触塞，位于所述第一半导体鳍片和所述第二半导体鳍片的上方并电连接至所述第一半导体鳍片和所述第二半导体鳍片；提供第二测试结构，所述第二测试结构包括：第二隔离区；第二栅电极，位于所述第二隔离区上方；第三半导体鳍片和第一电介质鳍片，彼此平行并位于所述第二栅电极的一侧上，其中，所述第一半导体鳍片、所述第二半导体鳍片和所述第三半导体鳍片以及所述第一电介质鳍片具有基本上相同的鳍片高度；以及第二接触塞，位于所述第三半导体鳍片上方并电连接至所述第三半导体鳍片；测量所述第一栅电极和所述第一接触塞之间的第一电容；测量所述第二栅电极和所述第二接触塞之间的第二电容；以及根据所述第二电容和所述第一电容之间的电容差值计算所述相同的鳍片高度。
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