[发明专利]一种基底材料表面的Sm-Co基永磁薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201210200142.3 | 申请日： | 2012-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN102800457A | 公开（公告）日： | 2012-11-28 |
| 发明（设计）人： | 张昀;张健;刘平;闫阿儒 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | H01F10/16 | 分类号： | H01F10/16;H01F41/18 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 陈英俊 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种基底材料表面的Sm-Co基永磁薄膜，所述的基底材料与Sm-Co基永磁薄膜之间是缓冲层，所述的Sm-Co基永磁薄膜厚度为0.1um～100um，所述的缓冲层是钨薄膜层，其厚度为10nm～200nm。与现有技术中所采用的铬作为缓冲层的Sm-Co基永磁薄膜相比，本发明提供的具有钨缓冲层的Sm-Co基永磁薄膜具有薄膜质量好，与基底材料表面的附着力强，经过800℃高温退火处理后，薄膜不脱落，具有良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基底 材料 表面 sm co 永磁 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基底材料表面的Sm‑Co基永磁薄膜，所述的基底材料与Sm‑Co基永磁薄膜之间是缓冲层，其特征是：所述的Sm‑Co基永磁薄膜厚度为0.1um～100um，所述的缓冲层是钨薄膜层，其厚度为10nm～200nm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院宁波材料技术与工程研究所，未经中国科学院宁波材料技术与工程研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210200142.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：复合铝板开槽机
- 下一篇：一种有可移动工件夹紧机构的管道切断坡口机
