[发明专利]电介质膜处理方法无效
申请号: | 201210201621.7 | 申请日: | 2009-02-24 |
公开(公告)号: | CN102800611A | 公开(公告)日: | 2012-11-28 |
发明(设计)人: | 尹秀敏;朱吉;约翰·M·德拉里奥斯;马克·威尔考克森 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02;H01L21/3105;H01L21/311 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 李献忠 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种用于在蚀刻操作后清洁衬底表面的方法和系统包括确定与该衬底表面有关的多个工艺参数。该工艺参数限定与该衬底表面有关的特性比如待清洁的衬底表面、待除去的污染物、在该衬底上形成的特征以及在制造操作中使用的化学品。根据该工艺参数确定多个施加化学物质。该多个施加化学物质包括具有第一不相溶液体与第二不相溶液体结合起来并有分布于该第一不相溶液体中的固体微粒的乳剂的第一施加化学物质。包括该第一施加化学物质的该多个施加化学物质被施加到该衬底表面从而通过从该衬底表面基本上除去该微粒和聚合物残留污染物同时保持该特征和该低k电介质材料(特征通过该材料形成)的特性而增强该清洁工艺。 | ||
搜索关键词: | 电介质 处理 方法 | ||
【主权项】:
一种用于在蚀刻操作后清洁衬底表面的系统,包含:被配置为接收、支撑和传送该衬底的衬底支撑装置;以及具有多个被配置为向该衬底表面输送和除去多个施加化学物质的进口端口和出口端口的化学品输送机构,其中在清洁过程中适当的施加化学物质与微粒和聚合物残留污染物相互作用并将该微粒和聚合物残留污染物从该衬底表面除去,同时保持特征的功能性和围绕该衬底表面上的该特征形成的低k电介质材料的低k特性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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