[发明专利]具有竖直装置和非竖直装置的半导体装置及其形成方法

摘要

一种半导体装置包括延伸在水平方向上的基板和位于基板上的竖直晶体管。竖直晶体管包括：第一扩散区域，位于基板上；沟道区域，位于第一扩散区域上并在相对于基板的水平延伸方向的竖直方向上延伸；第二扩散区域，位于沟道区域上；以及栅极电极，位于沟道区域的侧壁且与其绝缘。水平晶体管设置在基板，该水平晶体管包括：第一扩散区域和第二扩散区域，位于基板上并彼此分隔开；沟道区域，位于基板上并位于第一扩散区域和第二扩散区域之间；以及栅极电极，位于沟道区域上并且与沟道区域隔离。竖直晶体管的栅极电极的一部分和水平晶体管的栅极电极的一部分在相对于基板的竖直方向上位于相同的竖直位置。

主权项

一种半导体装置，包括：基板，延伸在水平方向上；竖直晶体管，位于该基板上，该竖直晶体管包括：第一扩散区域，位于该基板上；沟道区域，位于该第一扩散区域上并且在相对于该基板的水平延伸方向的竖直方向上延伸；第二扩散区域，位于该沟道区域上；以及栅极电极，位于该沟道区域的侧壁并与该沟道区域绝缘；以及水平晶体管，位于该基板上，该水平晶体管包括：第一扩散区域和第二扩散区域，位于该基板上，并且彼此分隔开；沟道区域，位于该基板上并位于该第一扩散区域和该第二扩散区域之间；以及栅极电极，位于该沟道区域上并与该沟道区域隔离；其中该竖直晶体管的栅极电极的一部分和该水平晶体管的栅极电极的一部分在相对于该基板的竖直方向上位于相同竖直位置处，其中该水平晶体管的第一扩散区域与该竖直晶体管的第一扩散区域邻接，和相对于该基板的上表面，该水平晶体管的第一扩散区域的下边界在竖直位置上高于该竖直晶体管的第一扩散区域的下边界。