[发明专利]互补型金属氧化物半导体图像感测器的操作方法有效

专利信息
申请号: 201210202606.4 申请日: 2009-11-04
公开(公告)号: CN102752562A 公开(公告)日: 2012-10-24
发明(设计)人: 詹伟廷;高铭璨;许恩峰 申请(专利权)人: 原相科技股份有限公司
主分类号: H04N5/374 分类号: H04N5/374;H04N5/378;G06F3/042
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 任默闻
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种互补型金属氧化物半导体图像感测器的操作方法,该方法包括下列步骤:通过一像素阵列单元感测一物件,像素阵列单元包括M个像素以及P个多工器,M个像素中的每一个分别与P个多工器的其中之一电性连接,M为一正整数,P为一小于或等于M的正整数;计算对应物件的一感测区域,感测区域包括M个像素中的N个像素,N为一小于或等于M的正整数;产生一列选择信号;以及控制与N个像素电性连接的Q个多工器将列选择信号供应给N个像素,Q为一小于或等于N且小于或等于P的正整数;用以列为主的顺序读取感测区域的N个像素所产生的信号。本发明仅需要将对应物件轨迹的感测区域中的像素数据输出,进而大幅降低系统的操作频率及功耗。
搜索关键词: 互补 金属 氧化物 半导体 图像 感测器 操作方法
【主权项】:
一种互补型金属氧化物半导体图像感测器的操作方法,其特征在于,所述方法包括下列步骤:通过一像素阵列单元感测一物件,所述像素阵列单元包括M个像素以及P个多工器,所述M个像素中的每一个分别与所述P个多工器的其中之一电性连接,M为一正整数,P为一小于或等于M的正整数;计算对应所述物件的一感测区域,所述感测区域包括所述M个像素中的N个像素,N为一小于或等于M的正整数;产生一列选择信号;以及控制与所述N个像素电性连接的Q个多工器将所述列选择信号供应给所述N个像素,Q为一小于或等于N且小于或等于P的正整数;用以列为主的顺序读取所述感测区域的所述N个像素所产生的信号。
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