[发明专利]互补型金属氧化物半导体图像感测器的操作方法有效
申请号: | 201210202606.4 | 申请日: | 2009-11-04 |
公开(公告)号: | CN102752562A | 公开(公告)日: | 2012-10-24 |
发明(设计)人: | 詹伟廷;高铭璨;许恩峰 | 申请(专利权)人: | 原相科技股份有限公司 |
主分类号: | H04N5/374 | 分类号: | H04N5/374;H04N5/378;G06F3/042 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 任默闻 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种互补型金属氧化物半导体图像感测器的操作方法,该方法包括下列步骤:通过一像素阵列单元感测一物件,像素阵列单元包括M个像素以及P个多工器,M个像素中的每一个分别与P个多工器的其中之一电性连接,M为一正整数,P为一小于或等于M的正整数;计算对应物件的一感测区域,感测区域包括M个像素中的N个像素,N为一小于或等于M的正整数;产生一列选择信号;以及控制与N个像素电性连接的Q个多工器将列选择信号供应给N个像素,Q为一小于或等于N且小于或等于P的正整数;用以列为主的顺序读取感测区域的N个像素所产生的信号。本发明仅需要将对应物件轨迹的感测区域中的像素数据输出,进而大幅降低系统的操作频率及功耗。 | ||
搜索关键词: | 互补 金属 氧化物 半导体 图像 感测器 操作方法 | ||
【主权项】:
一种互补型金属氧化物半导体图像感测器的操作方法,其特征在于,所述方法包括下列步骤:通过一像素阵列单元感测一物件,所述像素阵列单元包括M个像素以及P个多工器,所述M个像素中的每一个分别与所述P个多工器的其中之一电性连接,M为一正整数,P为一小于或等于M的正整数;计算对应所述物件的一感测区域,所述感测区域包括所述M个像素中的N个像素,N为一小于或等于M的正整数;产生一列选择信号;以及控制与所述N个像素电性连接的Q个多工器将所述列选择信号供应给所述N个像素,Q为一小于或等于N且小于或等于P的正整数;用以列为主的顺序读取所述感测区域的所述N个像素所产生的信号。
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