[发明专利]金属硅化物层和闪存的存储单元栅电极的形成方法

摘要

一种金属硅化物层和闪存的存储单元栅电极的形成方法，其中，所述闪存的存储单元栅电极的形成方法包括：提供半导体衬底，以及位于半导体衬底上的若干闪存的存储单元，若干存储单元由隔离层相互隔离，存储单元包括：浮栅层、以及位于浮栅层上的控制栅层，控制栅层的顶部与隔离层的表面齐平；去除部分控制栅层，使控制栅层的顶部低于隔离层的表面；在去除部分控制栅层后，在控制栅层表面形成金属层；在金属层和隔离层表面形成多晶硅层；进行热退火，使金属层与控制栅层和多晶硅层反应，在控制栅层表面形成金属硅化物层，金属硅化物层的顶部与隔离层的表面齐平；去除金属硅化物层表面的多晶硅层。所述金属硅化物层的电阻较小，作为栅电极时性能优良。

主权项

一种金属硅化物层的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，以及位于所述半导体衬底表面的第一硅层；在所述第一硅层表面形成金属层；在所述金属层表面形成第二硅层；进行热退火，使所述金属层与所述第一硅层和第二硅层反应，形成金属硅化物层；去除所述金属硅化物层表面的第二硅层。