[发明专利]一种改善深亚微米NMOS器件静电释放保护能力的器件无效
| 申请号： | 201210204468.3 | 申请日： | 2012-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN102723356A | 公开（公告）日： | 2012-10-10 |
| 发明（设计）人： | 颜丙勇;陈玉文 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种改善深亚微米NMOS器件静电释放保护能力的器件，其中，包括一衬底，所述衬底上具有栅极、漏极和源极，所述衬底还包括有两侧的Poly边缘，在所述Poly边缘的两侧区域和所述漏极的边缘局部区域进行静电释放离子注入，以减少NMOS器件的结漏电流。使用本发明的一种改善深亚微米NMOS器件静电释放保护能力的器件，通过在Poly边缘的两侧区域和漏极靠近AA边缘局部区域进行静电释放（ESD）离子注入，有效地减少45nm静电释放（ESD）的NMOS器件的结漏电流（leakage），同时，还能提高静电释放（ESD）的保护能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 微米 nmos 器件 静电 释放 保护 能力 | ||
【主权项】：
一种改善深亚微米NMOS器件静电释放保护能力的器件，其特征在于，包括一衬底，所述衬底上具有栅极、漏极和源极，所述衬底还包括有两侧的Poly边缘，在所述Poly边缘的两侧区域和所述漏极的边缘局部区域进行静电释放离子注入，以减少NMOS器件的结漏电流。
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