[发明专利]半导体结构及其制造方法无效
| 申请号： | 201210204542.1 | 申请日： | 2012-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN103187371A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 彭明灿;郑泗东;张翼;周伯谦;郑时龙;张嘉华;陈宗麟;蔡建峰 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括基板、管芯与介质。基板具有基板上表面。基板具有凹槽。凹槽从基板上表面向下延伸。凹槽具有凹槽侧表面。管芯位于凹槽中。管芯具有管芯下表面与管芯侧表面。管芯下表面低于基板上表面。介质填充凹槽位该凹槽侧表面与管芯侧表面之间的部分。根据本发明的半导体结构具有高的散热效果。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：基板，具有基板上表面，其中该基板具有凹槽，该凹槽从该基板上表面向下延伸，该凹槽具有凹槽侧表面；管芯，位于该凹槽中，其中该管芯具有管芯下表面与管芯侧表面，该管芯下表面低于该基板上表面；以及介质，其中该介质填充该凹槽位于该凹槽侧表面与该管芯侧表面之间的部分。
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