[发明专利]一种提高铸锭单晶硅收率的方法无效
| 申请号： | 201210205294.2 | 申请日： | 2012-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN102732948A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 熊震;付少永;张驰;黄强;黄振飞;刘振淮;陈雪 | 申请（专利权）人： | 常州天合光能有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人： | 路接洲 |
| 地址： | 213031 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种提高铸锭单晶硅收率的方法，是通过控制坩埚底部杂质向籽晶扩散来实现的。本发明基于对坩埚底部杂质向籽晶内部扩散的阻挡，在籽晶底部设置阻挡层；阻挡层包括粉状、薄膜、块体或空隙隔断。相比未设置扩散阻挡层的铸锭单晶，本发明所制备的铸锭单晶晶锭底部的少子寿命得到了大幅度提高，按相同截断标准，晶锭收率提高了3个百分点以上(绝对差值)。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 铸锭 单晶硅 收率 方法 | ||
【主权项】：
一种提高铸锭单晶硅收率的方法，其特征在于包括以下步骤：1）在铸锭坩埚底部设置杂质扩散阻挡层，来阻挡杂质向晶锭内的扩散；2）将厚度为5~50 mm的单晶硅块紧密排列，作为籽晶铺满坩埚底部；3）然后依次将硅料、掺杂元素原料置于坩埚中；4）抽取真空并通入惰性气体N2或Ar，边抽真空边通入惰性气体；5）加热坩埚，使作为籽晶的单晶硅块接触于坩埚底部的部分不熔化，与坩埚不接触的部分、硅料及掺杂元素原料均熔化并在原子尺度上彼此充分混合；6）定向凝固时，使坩埚底部为冷端，籽晶的未熔化部分诱导硅熔体的凝固生长，得到具有特定晶向的铸锭单晶硅。
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