[发明专利]磁接近传感器有效
| 申请号： | 201210205317.X | 申请日： | 2012-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN102788997B | 公开（公告）日： | 2017-10-03 |
| 发明（设计）人： | A·F·茨维介泽;D·R·索格 | 申请（专利权）人： | 森萨塔科技公司 |
| 主分类号： | G01V3/08 | 分类号： | G01V3/08 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 侯海燕 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及磁接近传感器，包括磁传感器元件(5)，和具有第一磁极面和第二磁极面的磁体组件(6，7)，其中磁体组件(6，7)的第一磁极面位于邻近磁接近传感器的传感器目标体表面处，和传感器元件(5)位于距磁体组件(6，7)远离所述传感器目标体表面的第二磁极面第一距离t处。 | ||
| 搜索关键词： | 接近 传感器 | ||
【主权项】：
磁接近传感器，包括磁传感器元件(5)，以及具有第一磁极面和第二磁极面的磁体组件(6，7)，其中第一磁极面对应于磁体组件(6，7)的第一磁极，第二磁极面对应于磁体组件(6，7)的第二磁极，其中所述磁体组件(6，7)的第一磁极面位于邻近磁接近传感器的传感器目标体表面处，和传感器元件(5)位于距磁体组件(6，7)远离所述传感器目标体表面的第二磁极面第一距离t处，其中磁体组件(6，7)被设在磁传感器元件(5)和传感器目标体表面之间，其中传感器元件(5)的感测表面面向磁体组件(6，7)远离所述传感器目标体表面的所述第二磁极面，并且其中磁体组件(6，7)包括轴向磁极片(7)及同轴设置的磁体本体(6)。
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