[发明专利]非易失性存储器件及其制造方法

摘要

提供了一种非易失性存储器件和一种制造该非易失性存储器件的方法。该方法包括在衬底上形成浮置栅极；形成与浮置栅极的形状一致的介电层；在衬底上形成导电层以形成覆盖浮置栅极和介电层的控制栅极；在导电层的一侧上形成光刻胶图案；形成间隔物形式的包围浮置栅极的侧面的控制栅极，所述控制栅极的形成包括对导电层实施回蚀到直到暴露浮置栅极上的介电层的一部分；以及在控制栅极的一侧上形成与多个接触塞连接的多晶硅焊盘，所述多晶硅焊盘的形成包括移除光刻胶图案。

主权项

一种制造非易失性存储器件的方法，所述方法包括：在具有隔离区域和有源区域的衬底上形成浮置栅极；形成与所述浮置栅极的形状一致的介电层；在所述衬底上形成导电层以形成控制栅极，所述控制栅极覆盖所述浮置栅极和所述介电层；在所述导电层的一侧上形成光刻胶图案；所述控制栅极形成为间隔物形式以包围所述浮置栅极的侧面，所述控制栅极的形成包括对所述导电层实施回蚀到直到暴露所述浮置栅极上的所述介电层的一部分；以及在所述控制栅极的一侧上形成与多个接触塞连接的多晶硅焊盘，所述多晶硅焊盘的形成包括移除所述光刻胶图案，其中所述控制栅极与所述有源区域隔离开并且所述接触塞接触所述控制栅极。