[发明专利]一种双面异质结太阳电池及制备方法

摘要

本发明公开了一种双面异质结太阳电池及制备方法，包括硅片基体层，所述硅片基体层背面从内到外依次具有本征层、重掺杂BSF层以及背电极，硅片基体层的正面具有平行设置呈倾斜状的槽体，槽体斜面上分别设有本征硅薄膜和p型硅薄膜层，在p型硅薄膜层上设有作为正面电极的透明导电薄膜，透明导电薄膜和槽体底面上分别设有薄膜减反层，硅片基体层表面还具有与透明导电薄膜电性连接的银浆层。本发明由于电极采用倾斜设置，p型硅薄膜层又设置在槽体倾斜面上，使得p型硅薄膜层与电极之间成倾斜接触，充分利用了槽体倾斜面垂直投影面积较小的优点，从而减小正面电极对整个电池的遮光损失，有效地改善了电池的光谱响应，有利于电池整体性能的提高。

主权项

一种双面异质结太阳电池，包括硅片基体层（1），其特征是：所述硅片基体层（1）背面从内到外依次具有本征层（2）、重掺杂BSF层（3）以及背电极（4），硅片基体层（1）的正面具有平行设置呈倾斜状的槽体（5），槽体（5）斜面上分别设有本征硅薄膜（6）和p型硅薄膜层（7），在p型硅薄膜层（7）上设有作为正面电极的透明导电薄膜（10），透明导电薄膜（10）和槽体（5）底面上分别设有薄膜减反层（8），硅片基体层（1）表面还具有与透明导电薄膜（10）电性连接的银浆层（9）。