[发明专利]一种CMOS器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201210206269.6 | 申请日： | 2012-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN103515317A | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 韩秋华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种CMOS器件及其形成方法，改变了现有工艺中形成NMOS元件和PMOS元件的侧墙及沟槽的工艺过程，使得在刻蚀形成沟槽时光阻层已经去除，避免了现有工艺中形成沟槽时光阻层存在，且受刻蚀工艺的影响产生浮动的光阻分离物的问题，也就避免了沟槽内光阻聚合物的形成，同时在多个沟槽的形成时，避免了光阻聚合物的存在使得后续形成的硅锗层深度不同，使得硅锗层的压应力得到保证，从而提高了器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cmos 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种CMOS器件的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底中形成N阱和P阱，在所述N阱和P阱交接处形成浅沟道隔离；在所述N阱上形成多个PMOS元件，所述P阱上形成一个或多个NMOS元件；其中，形成PMOS元件和NMOS元件的工艺包括：在所述N阱及P阱上形成栅极结构；紧靠所述N阱上的栅极结构形成N区侧墙；紧靠所述P阱上的栅极结构形成P区侧墙；在所述N阱中形成锗硅层，且所述锗硅层位于相邻两个PMOS元件之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
