[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201210206563.7 | 申请日： | 2012-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN103515191A | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 张翼英;何其旸 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/8247;H01L29/06;H01L27/115 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体结构及其形成方法，采用退火工艺使得嵌段共聚物层自分离形成第一材料层和第二材料层，去除第一材料层并以此为基准形成通孔，从而可有效的控制纳米硅量子点的生长，得到尺寸均一，密度可控的纳米硅量子点，解决了现有工艺对纳米硅量子点的生长无法控制的问题，大大的提高了存储性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成一阻挡层；在所述阻挡层上形成一嵌段共聚物层；对所述嵌段共聚物层进行退火处理，形成间隔排列的第一材料层和第二材料层；去除所述第一材料层，暴露出部分阻挡层；去除所述暴露出的部分阻挡层形成通孔；在所述通孔内形成纳米硅量子点。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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