[发明专利]P型超结横向双扩散MOSFET器件

摘要

本发明公开了一种P型超结横向双扩散MOSFET器件，在N型衬底重掺杂区上具有N型外延漂移区；在N型外延漂移区中形成有元胞区和终端区；P型半绝缘柱区在元胞区和终端区中均具有多个P型半绝缘柱区；在所述P型半绝缘柱区底部和顶部分别有浓度高于P型半绝缘柱区的P型掺杂区；元胞区中所述P型半绝缘柱区之间有栅极沟槽；沟槽表面形成有栅氧化膜且填入多晶硅形成栅极；所述栅极沟槽与P型半绝缘柱区之间形成阱区；在阱区上部形成源区；源区和阱区通过接触孔连接地电位。本发明通过P型半绝缘柱区顶部与底部的掺杂浓度提高，解决了器件设计的耐击穿电压值，同时提高了器件整体的纵向和横向击穿电压与可靠性。

主权项

一种P型超结横向双扩散MOSFET器件，包括N型衬底重掺杂区及N型外延漂移区，其特征在于：N型外延漂移区位于N型衬底重掺杂区之上；所述N型外延漂移区中具有元胞区和终端区，在器件的俯视平面上，终端区位于元胞区外圈将元胞区环绕包围；剖视平面上，所述元胞区中具有两个P型半绝缘柱区，终端区中更具有多个P型半绝缘柱区，在终端区中均匀分布；所述的多个P型半绝缘柱区，其底部还均具有第一P型掺杂区，以及顶部均具有第二P型掺杂区；所述第一P型掺杂区和第二P型掺杂区的掺杂浓度为P型半绝缘柱区的2～5倍，且杂质是均匀分布或在水平方向上呈中间浓两侧淡的分布；元胞区中，两个P型半绝缘柱区之间有一个沟槽，所述沟槽内壁表面形成有栅氧化膜，沟槽内填充多晶硅形成栅极；所述沟槽的两侧与P型半绝缘柱区之间的区域均形成阱区，在阱区上部形成源区，源区和阱区通过接触孔连接地电位。