[发明专利]一种采用新型扩散阻挡层的铜互连结构及其制备方法无效
| 申请号： | 201210206916.3 | 申请日： | 2012-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN102693958A | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 卢红亮;谢立恒;孙清清;王鹏飞;丁士进;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体集成电路制造技术领域，具体为一种铜互连结构及其制备方法。本发明以现有铜互连结构为基础，采用硅酸锰薄膜作为铜互连结构的铜扩散阻挡层。本发明用原子层淀积方法在铜互连的沟槽和通孔结构中来生长5~20nm的硅酸锰薄膜，淀积的薄膜能够达到良好的台阶覆盖性，可大大减少孔洞和缝隙等缺陷的产生。此外，通过调节硅酸锰薄膜中的Si和Mn比例，可以获得较佳的铜扩散阻挡能力和粘附特性。本发明的优点是可以提高铜互连线的抗电迁移特性，并保持其在集成电路铜互连应用中的可靠性，为45nm及其以下工艺技术节点提供了一种理想的互连工艺技术解决方案。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 采用 新型 扩散 阻挡 互连 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种铜互连结构，以现有铜互连结构为基础，其特征在于采用硅酸锰薄膜作为铜互连结构的扩散阻挡层，硅酸锰薄膜的厚度为5~20 nm。
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