[发明专利]等离子体辅助的沉积方法和用于执行该方法的设备

摘要

本发明涉及一种等离子体辅助的沉积方法，用于将至少一个介电质层沉积在一个含硅的基片（3）上，该方法具有以下步骤：向一个沉积设备（1）中供应至少一种适合于产生介电质层的气体；在至少一个第一波长或谱带上监测该气体的、在该沉积设备（1）中产生的发射强度；取决于在该至少一个第一波长或谱带上监测的发射强度，产生一个信号；将该信号传输给至少一个控制装置（4，10）；取决于该信号，通过该控制装置（4，10）来控制至少一个影响该沉积的过程参数和/或该基片（3）到该沉积设备（1）中的供应，本发明还涉及一种适合用于执行该方法的设备。

主权项

一种等离子体辅助的沉积方法，用于将至少一个介电质层沉积在一个含硅的基片（3）上，该方法具有以下步骤：向一个沉积设备（1）中供应至少一种适合用于产生该介电质层的气体；在至少一个第一波长或谱带上监测该气体的、在该沉积设备（1）中产生的发射强度；取决于在该至少一个第一波长或谱带上监测的发射强度，产生一个信号；将该信号传输给至少一个控制装置（4，10）；取决于该信号，通过该控制装置（4，10）来控制至少一个影响该沉积的过程参数和/或该基片（3）到该沉积设备（1）中的供应。