[发明专利]采用共形掺杂的图像传感器沟槽隔离有效
申请号: | 201210207827.0 | 申请日: | 2012-06-18 |
公开(公告)号: | CN103094290A | 公开(公告)日: | 2013-05-08 |
发明(设计)人: | 赖志育;杜友伦;黄志辉;吴政达;蔡嘉雄;陈昆仑 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;孙征 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种半导体图像传感器器件。该图像传感器器件包括衬底。该图像传感器器件包括设置在衬底中的第一像素和第二像素。第一和第二像素是相邻的像素。该图像传感器器件包括设置在衬底中以及第一和第二像素之间的隔离结构。该图像传感器器件包括设置在衬底中以及第一和第二像素之间的掺杂隔离器件。该掺杂隔离器件以共形方式围绕隔离结构。本发明还提供了一种采用共形掺杂的图像传感器沟槽隔离。 | ||
搜索关键词: | 采用 掺杂 图像传感器 沟槽 隔离 | ||
【主权项】:
一种半导体图像传感器器件,包括:衬底;第一像素和第二像素,设置在所述衬底中,所述第一像素和所述第二像素是相邻像素;隔离结构,设置在所述衬底中以及所述第一像素和所述第二像素之间;以及掺杂隔离器件,设置在所述衬底中以及所述第一像素和所述第二像素之间,其中,所述掺杂隔离器件以共形方式围绕所述隔离结构。
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H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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