[发明专利]氧化锌锡薄膜及制备方法、薄膜晶体管及制备方法有效

专利信息
申请号: 201210207834.0 申请日: 2012-06-21
公开(公告)号: CN103510086A 公开(公告)日: 2014-01-15
发明(设计)人: 邱勇;赵云龙;段炼 申请(专利权)人: 昆山维信诺显示技术有限公司;清华大学;北京维信诺科技有限公司
主分类号: C23C26/00 分类号: C23C26/00;H01L29/786;H01L21/34
代理公司: 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 代理人: 彭秀丽
地址: 215300 江苏省苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种涉及薄膜晶体管领域的氧化锌锡薄膜的制备方法,首先采用2-乙基己酸亚锡作为锡的前驱体材料制备前驱体溶液,然后,将前驱体溶液在无定形材料形成的涂布面上涂布成薄膜;最后进行热处理,热处理程序采用20至80℃/min的升温速率得到氧化锌锡薄膜。本发明还提供该制备方法制备的氧化锌锡薄膜、采用该氧化锌锡薄膜作为半导体层的薄膜晶体管以及该薄膜晶体管的制备方法。本发明解决了现有技术中采用2-乙基己酸亚锡作为锡的前驱体材料制备的氧化锌锡薄膜形成的薄膜晶体管的载流子迁移率较低的问题。
搜索关键词: 氧化锌 薄膜 制备 方法 薄膜晶体管
【主权项】:
氧化锌锡薄膜的制备方法,包括以下步骤:(1)制备前驱体溶液将锌的前驱体材料、锡的前驱体材料2‑乙基己酸亚锡C16H30O4Sn、助溶剂溶解于溶剂中,充分搅拌使其充分溶解,得到前驱体溶液;(2)制备薄膜将步骤(1)制备的前驱体溶液在无定形材料形成的涂布面上涂布成薄膜;(3)热处理将步骤(2)形成的所述薄膜经热处理程序得到氧化物半导体薄膜,所述的热处理程序采用20至80℃/min的升温速率从起始温度上升到预设温度,并恒温处理,得到氧化锌锡薄膜。
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