[发明专利]高性能纳米晶磁芯无效
| 申请号： | 201210207894.2 | 申请日： | 2012-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN102709016A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 肖洪武;周水泉;柯昕;汪建国 | 申请（专利权）人： | 浙江科达磁电有限公司 |
| 主分类号： | H01F1/047 | 分类号： | H01F1/047;H01F1/08;H01F41/02 |
| 代理公司： | 杭州丰禾专利事务所有限公司 33214 | 代理人： | 李久林 |
| 地址： | 313200 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高性能纳米晶磁芯，采用如下步骤制备：对利用快速冷却方法制得的铁基非晶薄带进行热处理，将其转变成纳米晶薄带；其中，铁基非晶薄带质量百分比为：3～15%Ni，1～10%Si，1～4%B，1～9%Al，余量为Fe；对纳米晶薄带进行破碎得到纳米晶金属粉末；对纳米晶金属粉末进行球磨整形；对纳米晶金属粉末进行筛选，然后混合成由90%～98%的通过-200筛目的第一粉末和2%～10%的通过-150～+200筛目的第二粉末组成的粉末颗粒分布；将混合的纳米晶金属粉末再与粘接剂混合，通过压制成型磁芯；并进行退火，然后用绝缘树脂涂布磁芯。本技术方案磁芯具有稳定的磁导率、损耗值和直流偏置能力。 | ||
| 搜索关键词： | 性能 纳米 晶磁芯 | ||
【主权项】：
一种高性能纳米晶磁芯，采用如下步骤制备：1）对利用快速冷却方法制得的铁基非晶薄带进行热处理，将其转变成纳米晶薄带；其中，铁基非晶薄带质量百分比为：3～15%Ni，1～10%Si，1～4%B，1～9%Al，余量为Fe；2）对所述纳米晶薄带进行破碎得到纳米晶金属粉末；3）对所述纳米晶金属粉末进行球磨整形；4）对所述纳米晶金属粉末进行筛选，然后混合成由90%～98%的通过‑200筛目的第一粉末和2%～10%的通过‑150～+200筛目的第二粉末组成的粉末颗粒分布；5）将混合的纳米晶金属粉末再与粘接剂混合，通过压制成型磁芯；并将所述成型的磁芯进行退火，然后用绝缘树脂涂布所述磁芯。
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