[发明专利]制作微纳金字塔氮化镓基垂直结构发光二极管阵列的方法无效
| 申请号： | 201210208853.5 | 申请日： | 2012-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN102694093A | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 汪炼成;马骏;刘志强;伊晓燕;王国宏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种制作微纳金字塔氮化镓基垂直结构发光二极管阵列的方法，包括：选择一外延结构，该外延结构包括蓝宝石衬底和氮化镓LED层，氮化镓LED层包括非故意掺杂氮化镓层，N型氮化镓层，量子阱层和p型氮化镓层；在p型氮化镓层上沉积金属层；将外延结构和金属层转移到衬底上，形成基片；用激光剥离方法，将外延结构中的蓝宝石衬底从外延结构中分离；将基片放入溶液中进行腐蚀，在外延结构的氮化镓LED层的非故意掺杂氮化镓层一面形成分立的微纳金字塔结构；将硅胶涂覆在微纳金字塔结构的表面；用等离子体技术，将微纳金字塔结构尖端部分的硅胶去除，保留微纳金字塔结构底部的硅胶；在微纳金字塔结构的表面沉积透明导电层；在透明导电层上通过光刻方法沉积图形金属电极，完成制备。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 金字塔 氮化 垂直 结构 发光二极管 阵列 方法 | ||
【主权项】：
一种制作微纳金字塔氮化镓基垂直结构发光二极管阵列的方法，包括：步骤1：选择一外延结构，该外延结构包括蓝宝石衬底和氮化镓LED层，氮化镓LED层包括非故意掺杂氮化镓层，N型氮化镓层，量子阱层和p型氮化镓层；步骤2：在外延结构表面的p型氮化镓层上沉积金属层；步骤3：将外延结构和金属层转移到衬底上，形成基片；步骤4：用激光剥离方法，将外延结构中的蓝宝石衬底从外延结构中分离；步骤5：将基片放入溶液99中进行腐蚀，在外延结构的氮化镓LED层的非故意掺杂氮化镓层一面形成分立的微纳金字塔结构；步骤6：将硅胶涂覆在微纳金字塔结构的表面；步骤7：用等离子体技术，将微纳金字塔结构尖端部分的硅胶去除，保留微纳金字塔结构底部的硅胶；步骤8：在微纳金字塔结构的表面沉积透明导电层；步骤9：在透明导电层上通过光刻方法沉积图形金属电极，完成制备。
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