[发明专利]一种调整氮化硅折射率的方法无效
| 申请号： | 201210208995.1 | 申请日： | 2012-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN102709164A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 徐强 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种调整氮化硅折射率的方法，包括：执行步骤S1：提供衬底，所述衬底用于支撑所述基准氮化硅薄膜；执行步骤S2：基准氮化硅薄膜的制备，在所述衬底上沉积所述基准氮化硅薄膜，且所述基准氮化硅薄膜具有统一的折射率；执行步骤S3：通过紫外光照射所述基准氮化硅薄膜以进行折射率调整。通过本发明所述调整氮化硅折射率的方法所制备的基准氮化硅薄膜性质单一、折射率可控。利用本发明所述调整氮化硅折射率的方法调整所述基准氮化硅薄膜的折射率不仅减少了设备制程之间的频繁转换，维护方便，而且提高了设备的利用率和使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 调整 氮化 折射率 方法 | ||
【主权项】：
一种调整氮化硅折射率的方法，其特征在于，所述调整氮化硅折射率的方法包括：执行步骤S1：提供衬底，所述衬底用于支撑所述基准氮化硅薄膜；执行步骤S2：基准氮化硅薄膜的制备，在所述衬底上沉积所述基准氮化硅薄膜，且所述基准氮化硅薄膜具有统一的折射率；执行步骤S3：通过紫外光照射所述基准氮化硅薄膜以进行折射率调整。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210208995.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
