[发明专利]形成FinFET栅介质层的方法和形成FinFET的方法有效
| 申请号： | 201210209736.0 | 申请日： | 2012-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN103515213B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司11018 | 代理人： | 牛峥,王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种形成FinFET栅介质层的方法及形成FinFET的方法，在半导体鳍状物表面外延单晶硅后，在氘与惰性气体的混合气体氛围下进行退火，以得到过渡层，解决了栅介质层材料与半导体鳍状物材料之间的晶格失配的问题，并且使得半导体鳍状物表面的粗糙度降低，避免了电荷捕获陷阱的产生，进而提高了半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 finfet 介质 方法 | ||
【主权项】：
一种形成FinFET栅介质层的方法，包括：提供形成有半导体鳍状物的半导体衬底；在所述半导体鳍状物表面外延生成单晶硅层，并在氘与惰性气体的混合气体氛围下，对半导体衬底进行退火，以在所述半导体鳍状物表面形成过渡层；在半导体衬底表面以及过渡层表面形成栅介质层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210209736.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
