[发明专利]存储元件、制造存储元件的方法以及存储装置

摘要

本发明提供了一种存储元件、制造所述存储元件的方法以及存储装置，其中所述存储元件依次包括第一电极、存储层以及第二电极。所述存储层包括电阻变化层，其设置在第一电极侧；以及离子源层，其包含一种以上金属元素，并且所述离子源层设置在第二电极侧。所述离子源层包括第一离子源层和第二离子源层，所述第一离子源层包含硫族元素碲(Te)、硫(S)、硒(Se)中的一种以上并设置在电阻变化层侧，并且所述第二离子源层中的硫族元素的含量不同于第一离子源层中的硫族元素的含量，并且所述第二离子源层设置在第二电极侧。根据本发明，离子源层可免于劣化，且存储元件的耐热性提高。换言之，所形成的存储装置的可靠性高。

主权项

一种存储元件，其依次包括第一电极、存储层以及第二电极，其中，所述存储层包括：电阻变化层，其设置在所述第一电极侧；以及离子源层，其包含一种以上金属元素，并且所述离子源层设置在所述第二电极侧，并且所述离子源层包括第一离子源层和第二离子源层，所述第一离子源层包含硫族元素碲、硫、硒中的一种以上并设置在所述电阻变化层侧，而所述第二离子源层中的硫族元素的含量不同于所述第一离子源层中的硫族元素的含量，并且所述第二离子源层设置在所述第二电极侧，其中，所述金属元素包括钛、锆、铪、钒、铌、钽、铬、钼以及钨组成的过渡金属的组中的一种以上金属元素，并且所述第二离子源层包含的由钛、锆、铪、钒、铌、钽、铬、钼以及钨组成的过渡金属的组中的一种以上金属元素的含量高于所述第一离子源层。