[发明专利]一种基于基板刻蚀方式的焊球凸点封装技术方法

摘要

本发明属于微电子封装技术方法领域，特别涉及一种基于基板刻蚀方式的焊球凸点封装技术方法。该方法通过选取掩膜图案，在单晶硅片基板上刻蚀出相对应的结构形貌；然后在刻蚀区沉积一层Ti膜或Cr膜，接着再沉积一层Cu膜；利用电镀或者化学镀方法在Cu膜表面镀上一层Co基膜或者Ni基膜；接着放入回流焊炉，并通入氮气或惰性气体进行保护，进行回流焊接。本发明与传统焊球凸点技术相比，大大降低焊球所占的空间、减小电子元器件的体积以及增加半导体器件的集成度；增加了焊点与底部金属层的接触面积，从而增强了焊点与底部金属层的粘接强度以及焊球与基体的剪切强度，大大增加焊点的稳定性与可靠性，延长电子元器件和半导体器件的使用寿命。

主权项

一种基于基板刻蚀方式的焊球凸点封装技术方法，其特征在于，该方法具体步骤如下：（1）选取单面抛光的(110)晶面单晶硅片，经过超声清洗并烘干后作为基板；（2）以Si3N4作为掩膜板材料，选取掩膜图案，通过湿法刻蚀技术或干法刻蚀技术进行刻蚀处理，获得与所选取掩膜图案相对应的结构形貌； （3）把刻蚀好的单晶硅片经过超声清洗并烘干，在未经刻蚀处理的单晶硅片表面区域旋涂一层光刻胶，然后在刻蚀区利用物理沉积的方法沉积一层Ti膜或Cr膜，接着再沉积一层Cu膜，最后利用丙酮把硅片表面的光刻胶洗去；（4）将沉积好粘结层后的单晶硅片经过超声清洗并烘干，利用电镀或者化学镀方法在Cu膜表面镀上一层Co基膜或者Ni基膜；（5）将镀好Co基膜或Ni基膜的单晶硅片经过超声清洗并烘干后平行放置，把焊球或者焊料放置在Co基膜或Ni基膜上，接着平行放入回流焊炉，关闭炉门并通入氮气或惰性气体进行保护，最后利用回流焊炉进行回流焊接，制得抗蠕变能力强、抗冲击能力强以及高可靠性的焊点。