[发明专利]一种NAND器件的制造方法有效
| 申请号： | 201210211647.X | 申请日： | 2012-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN103515323A | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 张城龙;胡敏达;王新鹏;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种NAND器件的制造方法。所述方法包括：提供半导体衬底，并在所述衬底上方沉积低K材料或者超低K材料；在低K材料或者超低K材料上方由下往上依次形成第一氧化物层、第一金属掩膜层、第二氧化物掩膜层、第二金属掩膜层和第一图案化掩膜材料层；蚀刻第一图案化掩膜材料层，以形成间隔图案；在所述间隔图案和所述第二金属掩膜层上方沉积第二图案化掩膜材料层；蚀刻第二图案化掩膜材料层，以在所述间隔图案的侧壁形成间隔壁；蚀刻去除所述间隔图案；图案化所述第二金属掩膜层；蚀刻去除所述间隔壁，同时图案化所述第二氧化物掩膜层；图案化所述第一金属掩膜层，同时去除所述图案化了的所述第二金属掩膜层。本发明所述方法更加容易控制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 nand 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种NAND器件的制造方法，所述方法包括：提供半导体衬底，并在所述衬底上方沉积低K材料或者超低K材料；在所述低K材料或者超低K材料上方由下往上依次形成第一氧化物层、第一金属掩膜层、第二氧化物掩膜层、第二金属掩膜层和第一图案化掩膜材料层；蚀刻所述第一图案化掩膜材料层，以形成间隔图案；在所述间隔图案和所述第二金属掩膜层上方沉积第二图案化掩膜材料层；蚀刻所述第二图案化掩膜材料层，以在所述间隔图案的侧壁形成间隔壁；蚀刻去除所述间隔图案；以所述间隔壁为掩膜，图案化所述第二金属掩膜层；蚀刻去除所述间隔壁，同时图案化所述第二氧化物掩膜层；以所述图案化了所述第二氧化物掩膜层为掩膜，图案化所述第一金属掩膜层，同时去除所述图案化了的所述第二金属掩膜层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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