[发明专利]一种Nd-Fe-B永磁体的制备工艺及其制备的磁体有效

专利信息
申请号: 201210212151.4 申请日: 2012-06-21
公开(公告)号: CN102693828A 公开(公告)日: 2012-09-26
发明(设计)人: 闫文龙;于敦波;李扩社;汪浩;袁永强;李红卫;严辉;李世鹏;罗阳 申请(专利权)人: 北京有色金属研究总院;有研稀土新材料股份有限公司
主分类号: H01F41/02 分类号: H01F41/02;H01F1/057;C22C1/04
代理公司: 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 代理人: 程凤儒
地址: 100088 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供一种Nd-Fe-B永磁体的制备工艺及其制备的磁体,属于磁性功能材料及制备技术领域。该制备工艺的具体步骤为:通过化学浴沉积法使RbX3薄膜生长在磁体表面,然后通过一级热处理使磁体表面所镀的RbX3薄膜中的元素扩散到磁体内部,再通过二级热处理使元素Rb均匀的分布在晶界处且消除一级热处理使磁体中带来的不平衡组织及内应力,制备的磁体的化学式为RaRbXFeMB。本发明的优点是将化学浴方法用于制备钕铁硼磁体,可以提高生产效率,降低磁体制备过程中重稀土用量,同时在不降低磁体剩磁和磁能积的情况下获得高矫顽力。
搜索关键词: 一种 nd fe 永磁体 制备 工艺 及其 磁体
【主权项】:
一种Nd‑Fe‑B永磁体的制备工艺,其特征在于:该工艺包括以下步骤:(1)按合金熔炼、制粉、成型、烧结步骤制备RaFeMB磁体,其中Ra为Nd、Pr、La、Ce、Sm、Sc、Y、Eu中的一种或一种以上元素,含量为28~33wt%;B为元素硼,含量为0.8~1.2wt%;M为Cu、Al、Ga、Mn、Zr、Cr、Co、Mo、Zn、Ti、Sn中的一种或一种以上元素,含量为0.01~3wt%;余量为Fe及不可避免杂质,所述RaFeMB磁体的厚度为1~20mm;(2)在容器中加入Rb2O3粉末和硝酸,搅拌使Rb2O3全部溶解,其中Rb2O3与硝酸的摩尔比为1∶6~1∶15,硝酸的浓度为0.5~6mol/L;(3)向步骤(2)的容器中加入乙二胺四乙酸溶液(EDTA),搅拌生成EDTA‑Rb3+;其中Rb2O3与EDTA的摩尔比为1∶2~1∶10,Rb为Tb、Dy、Gd、Ho中的任一种元素;(4)向步骤(3)的容器中加入NH4X溶液,搅拌形成澄清溶液;其中Rb2O3与NH4X的摩尔比为1∶2~1∶10,X为F、Cl、Br中的任一种;(5)将步骤(1)得到的RaFeMB磁体浸没于步骤(4)得到的澄清溶液中,将溶液保温1~3600s,保温温度为40~90℃,Rb3+与X在磁体表面反应生成均匀的RbX3薄膜,RbX3薄膜的厚度为0.1~10μm;(6)对步骤(5)得到的表面沉积了RbX3薄膜的RaFeMB磁体进行两级热处理;其中一级热处理温度为655~1100℃,处理时间为1~100h,二级热处理的温度为400~655℃,处理时间为1~10h。
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