[发明专利]一种制备石墨烯器件的方法有效
申请号: | 201210212244.7 | 申请日: | 2012-06-21 |
公开(公告)号: | CN102751179A | 公开(公告)日: | 2012-10-24 |
发明(设计)人: | 石润伯;徐慧龙;张志勇;彭练矛;王胜 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
主分类号: | H01L21/04 | 分类号: | H01L21/04;B82Y10/00;G03F7/00 |
代理公司: | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人: | 李稚婷 |
地址: | 100871*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种制备石墨烯器件的方法。该方法在对石墨烯材料进行光学光刻后,通过氯苯和除胶剂AR 300-70化学处理消除光刻工艺过程对石墨烯性能的影响,并可以对石墨烯的狄拉克点和沟道电阻进行调控。本发明工艺简单,可以批量生产石墨烯器件,大大提高了加工效率并且不损害石墨烯的优异性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 制备 石墨 器件 方法 | ||
【主权项】:
一种制备石墨烯器件的方法,所述石墨烯器件包括电极和石墨烯有源区,制备方法包括以下步骤:1)在绝缘基底上生长石墨烯,或者在金属上生长石墨烯后再将石墨烯转移到绝缘基底上;2)通过光学光刻在绝缘基底上定义器件电极的图形,然后沉积电极材料,并通过剥离的方法形成电极的形状;3)通过光学光刻在石墨烯上定义有源区的形状,刻蚀形成石墨烯有源区的形状;4)将步骤3)得到的器件用氯苯浸泡处理;5)将器件从氯苯中取出,用除胶剂AR 300‑70浸泡处理,得到所需石墨烯器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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