[发明专利]一种大功率LED底座的制备方法和大功率LED底座有效
| 申请号： | 201210212333.1 | 申请日： | 2012-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN103515509A | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 徐强;林信平;张保祥;任永鹏 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;C04B41/91 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种大功率LED底座的制备方法，包括以下步骤：S1、在氧化铝陶瓷基板的表面镀氧化亚铜层和铜层，得到表面覆铜陶瓷；S2、将表面覆铜陶瓷在惰性气氛中进行1064-1080℃下热处理，曝光显影蚀刻得到表面具有金属化线路的陶瓷电路板；S3、将铜基座表面进行氧化；S4、使陶瓷电路板与铜基座贴合，然后在惰性气氛中进行1064-1080℃下热处理，冷却后在金属化线路表面继续金属化，得到大功率LED底座。本发明还提供了采用该制备方法制备得到的大功率LED底座。本发明提供的制备方法制备得到的大功率LED底座，散热性能好，陶瓷电路板的金属层与氧化铝陶瓷基板具有良好的结合力，同时陶瓷电路板整体与铜基座也具有良好的结合力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 大功率 led 底座 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种大功率LED底座的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、在氧化铝陶瓷基板的表面镀一层氧化亚铜层，然后在氧化亚铜层表面继续镀铜层，得到表面覆铜陶瓷；S2、将表面覆铜陶瓷在惰性气氛中进行热处理，热处理温度为1064‑1080℃；然后进行曝光显影蚀刻，得到表面具有金属化线路的陶瓷电路板；S3、将铜基座表面进行氧化，得到具有微氧化结合面的铜基座；S4、使陶瓷电路板具有金属化线路的一面向外，将陶瓷电路板的另一面与铜基座的微氧化结合面贴合，然后在惰性气氛中进行热处理，热处理温度为1064‑1080℃，冷却后在金属化线路的表面继续金属化，得到所述大功率LED底座。
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