[发明专利]一种磁电复合多态存储器单元及其制备方法有效
| 申请号： | 201210212556.8 | 申请日： | 2012-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN102768854A | 公开（公告）日： | 2012-11-07 |
| 发明（设计）人： | 李扩社;胡权霞;彭海军;张洪滨;李红卫;于敦波;谢佳君;李廷先;严辉 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属研究总院;有研稀土新材料股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C13/02 | 分类号： | G11C13/02;H01L43/00;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 程凤儒 |
| 地址： | 100088 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种磁电复合多态存储器单元及其制备方法，包括在衬底上依次沉积底电极、铁电层和顶电极，所述底电极为铁磁层，所述顶电极为铁磁层或材料为Ag、Au、Pt、Cu或Al的薄膜层；该铁磁层的材料为La1-xSrxMnMyO3，其中0.15≤x≤0.5，0≤y≤0.1，M为Ag、Bi、Cu、Co、Ni和Sc元素中的至少一种；铁电层的材料为BaTiO3；铁磁层与铁电层的材料均具有(110)取向；所述铁磁层与铁电层的厚度比为0.1-20。本发明的磁电复合多态存储器单元铁磁、铁电两相结构匹配及界面耦合性较好、成分控制容易、制备工艺简单，不仅实现了数据的多态存储功能，而且具有存储数据非易失性、数据读取简单、速度快，与传统半导体工艺兼容性较好等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁电 复合 存储器 单元 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种磁电复合多态存储器单元，其特征在于，包括在衬底上依次复合的底电极、铁电层和顶电极，所述底电极和顶电极均为材料为La1‑xSrxMnMyO3的铁磁层，其中0.15≤x≤0.5，0≤y≤0.1，M为Ag、Bi、Cu、Co、Ni和Sc元素中的至少一种；所述铁电层的材料为BaTiO3；所述铁磁层与铁电层的材料均具有(110)取向；所述铁磁层与铁电层的厚度比为0.1～20。
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