[发明专利]晶体管装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201210212660.7 | 申请日： | 2012-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN103515414B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 许茗舜;许文朋;林克峰;蔡明轩;王智充 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种晶体管装置及其制造方法。晶体管装置包括一基底、一第一阱、一第二阱、一浅沟槽隔离结构、一源极、一漏极及一栅极。第一阱设置于基底之中。第二阱设置于基底之中。浅沟槽隔离结构设置于第二阱内。浅沟槽隔离结构具有至少一悬浮岛状有源区。源极设置于第一阱内。漏极设置于第二阱内。悬浮岛状有源区与漏极的导电类型相反或相同。栅极设置于第一阱及第二阱之上并与部分的第一阱及第二阱交叠。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体管装置，包括：基底；第一阱(well)，设置于该基底之中；第二阱，设置于该基底之中；浅沟槽隔离结构(shallow trench isolation，STI)，设置于该第二阱内，该浅沟槽隔离结构具有至少一悬浮岛状有源区(floating diffusion island)，该悬浮岛状有源区的周缘被该浅沟槽隔离结构所包覆；源极，设置于该第一阱内；漏极，设置于该第二阱内，该悬浮岛状有源区的导电类型与该漏极的导电类型相反或相同；以及栅极，设置于该第一阱及该第二阱之上并与部分的该第一阱及该第二阱交叠。
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