[发明专利]提高图像传感器满阱容量与量子效率光电二极管及方法

摘要

提高图像传感器满阱容量与量子效率光电二极管及方法。本发明涉及互补金属氧化物半导体(CMOS)固态图像传感器。为保证扩展的满阱容量可以全耗尽，使得该扩展是不以损耗图像拖尾性能为前提的，并从根本上提升动态范围、信噪比、灵敏度等像素单元关键性能指标，为达到上述目的，本发明采取的技术方案是，提高图像传感器满阱容量与量子效率光电二极管及方法，结构为：在P型外延层内注入一个深度较浅的N埋层，N埋层上面是高浓度掺杂P+钳位层，N埋层下面还设置有第二个N埋层，第二个N埋层内自其与P型外延层交界面处向N埋层内部，形成有纵向的P插入层结构。本发明主要应用于图像传感器的设计制造。

主权项

一种提高图像传感器满阱容量与量子效率光电二极管，结构为：在P型外延层内注入一个深度较浅的N埋层，N埋层上面是高浓度掺杂P+钳位层，其特征是，在靠近表面的N埋层下面还设置有第二个N埋层，第二个N埋层内自其与P型外延层交界面处，形成有纵向的P插入层结构。