[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201210214671.9 | 申请日： | 2009-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN102768965A | 公开（公告）日： | 2012-11-07 |
| 发明（设计）人： | 谷藤雄一;中条卓也;冈浩伟 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/56;H01L23/495;H01L23/29 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 刘国伟 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体装置及其制造方法。本发明使得介于半导体芯片和芯片垫部之间的导电性接着剂的接合可靠性提高。硅芯片3A搭载在与漏极引线Ld一体形成的芯片垫部4D上，且在硅芯片3A的主面上形成有源极垫7。硅芯片3A的背面构成一功率MOSFET的漏极，且经由Ag膏5而接合于芯片垫部4D上。源极引线Ls与源极垫7是通过Al带10而电连接。在硅芯片3A的背面上形成有Ag纳米粒子涂膜9A，在芯片垫部4D与引线(漏极引线Ld、源极引线Ls)的表面上形成有Ag纳米粒子涂膜9B。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，其包含以下步骤：(a)准备具有芯片搭载部和配置在所述芯片搭载部附近的第一引线的引线框；(b)将Ag膏供给到所述芯片搭载部上；(c)经由所有Ag膏将半导体芯片搭载在所述芯片搭载部上；(d)在所述(c)步骤之后，使所述Ag膏固化，以此将所述芯片搭载部与所述半导体芯片的背面经由所述Ag膏而黏接在一起；及(e)在所述(d)步骤之后，通过导电体将所述第一引线与所述半导体芯片的第一垫电连接；其中所述Ag膏包含Ag填料，作为基础树脂的第一热固性树脂和由第二热固性树脂所构成的衬垫树脂。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
