[发明专利]一种IGBT驱动推挽电路无效
| 申请号： | 201210214858.9 | 申请日： | 2012-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN102739211A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 苏伟;钟玉林;温旭辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电工研究所 |
| 主分类号： | H03K17/04 | 分类号： | H03K17/04 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人： | 关玲 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种IGBT驱动推挽电路，主要包括包括NPN三极管（Q1）、PNP三极管（Q2）、充电电阻（R5）和放电电阻（R6）；充电电阻（R5）的一端连接至输入电源（VDC1）的正极，充电电阻（R5）的另一端连接至NPN三极管（Q1）的集电极（c1）；NPN三极管（Q1）的发射极（e1）和PNP三极管（Q2）的发射极（e2）连接为一点并与IGBT的栅极（G）相连接；PNP三极管（Q2）的发射极（c2）与放电电阻（R6）的一端相连，放电电阻（R6）的另一端与供电电源（VDC2）的地相接。本发明所述的推挽电路结构在IGBT开通瞬间NPN三极管工作于饱和区，既提高了充电电流，又降低了NPN三极管的损耗。当IGBT关断时瞬间PNP三极管工作于饱和区，既增大了放电电流，又降低了PNP三极管的损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 igbt 驱动 电路 | ||
【主权项】：
一种IGBT驱动推挽电路，其特征在于，所述的驱动推挽电路包括NPN三极管（Q1）、PNP三极管（Q2）、充电电阻（R5）和放电电阻（R6）；充电电阻（R5）的一端连接至输入电源（VDC1）的正极，充电电阻（R5）的另一端连接至NPN三极管（Q1）的集电极（c1）；NPN三极管（Q1）的发射极（e1）和PNP三极管（Q2）的发射极（e2）连接为一点并与IGBT的栅极（G）相连接；PNP三极管（Q2）的发射极（c2）与放电电阻（R6）的一端相连，放电电阻（R6）的另一端与供电电源（VDC2）的地相接。
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