[发明专利]一种利用规则阵列结构减小金属二次电子发射系数的方法

摘要

一种利用规则阵列结构抑制金属表面SEY的方法。该规则阵列结构利用半导体器件领域的图形光刻工艺实现，典型阵列结构可以采用圆孔或者矩形槽结构，结构尺寸在几微米至几十微米。规则阵列结构形状决定于所设计的掩膜版，规则陷阱的深宽比决定于刻蚀时间。在相同深宽比及孔隙率条件下，圆孔陷阱表面SEY抑制效果优于矩形槽陷阱表面；对于同一种阵列结构，深宽比越大，孔隙率越大，SEY抑制效果越好。该技术对于卫星载荷中金属微波部件和粒子加速器中微放电效应抑制具有潜在的应用价值，即在不改变部件表面金属材料前提下，通过表面图形化光刻技术降低其表面SEY，从而较大幅度抑制微放电效应。同时，该技术还适用于行波管收集极等多种需要进行金属表面SEY抑制的特殊应用场合，具有一定的普适性。

主权项

一种利用规则阵列结构减小金属二次电子发射系数的方法，其特征在于，包括如下步骤：对待处理金属样片依次进行超声清洗、旋转涂胶、烘烤、曝光、烘烤、显影处理；对进行上述处理过的样片在刻蚀液进行腐蚀，形成微米结构阵列，根据对金属表面的二次电子发射系数要求决定微米结构的深宽比或孔隙率，从而决定掩膜版图形设计及其刻蚀工艺参数；腐蚀完毕的样片进行去胶和超声清洗。