[发明专利]一种用于晶体硅太阳能电池生产的磷扩散工艺无效

专利信息
申请号: 201210215687.1 申请日: 2012-06-27
公开(公告)号: CN102738305A 公开(公告)日: 2012-10-17
发明(设计)人: 马桂艳;宋连胜;张东升 申请(专利权)人: 英利能源(中国)有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L21/223;C30B31/06;C30B31/18
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 魏晓波;李丽
地址: 071051 河*** 国省代码: 河北;13
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摘要: 发明公开了一种用于晶体硅太阳能电池生产的磷扩散工艺,该工艺过程包括以下步骤:首先将含有磷源的气体通入一定温度的石英管内部,并维持预定时间以便所述磷源中的磷原子沉积于硅片上;然后通入预定量的含氧的气体于所述石英管内部,并维持预定时间以便于硅片表面形成氧化硅层;最后维持所述石英管于预定温度范围内一定时间以便步骤S 1中所述磷原子向硅片的晶体硅层和氧化硅层双方向推进;该扩散工艺中磷原子在推进时,不仅可以向硅片方向推进,而且同时可以向氧化硅层的方向推进,磷原子向双方向推进的方法可以在维持工艺总时间和工艺温度不变的前提下提升扩散方阻,减缓高浓度磷扩散对硅表面带来的晶格损伤,降低硅片表面晶格畸变率,提高晶体硅太阳能电池的制备质量。
搜索关键词: 一种 用于 晶体 太阳能电池 生产 扩散 工艺
【主权项】:
一种用于晶体硅太阳能电池生产的磷扩散工艺,其特征在于,该工艺过程包括以下步骤:S1、将含有磷源的气体通入一定温度的石英管内部,并维持预定时间以便所述磷源中的磷原子沉积于硅片上;S2、通入预定量的含氧的气体于所述石英管内部,并维持预定时间以便于所述硅片表面形成氧化硅层;S3、维持所述石英管于预定温度范围内一定时间以便步骤S1中所述磷原子向所述硅片的晶体硅层和所述氧化硅层双方向推进。
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