[发明专利]一种用于晶体硅太阳能电池生产的磷扩散工艺无效
申请号: | 201210215687.1 | 申请日: | 2012-06-27 |
公开(公告)号: | CN102738305A | 公开(公告)日: | 2012-10-17 |
发明(设计)人: | 马桂艳;宋连胜;张东升 | 申请(专利权)人: | 英利能源(中国)有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/223;C30B31/06;C30B31/18 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 魏晓波;李丽 |
地址: | 071051 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本发明公开了一种用于晶体硅太阳能电池生产的磷扩散工艺,该工艺过程包括以下步骤:首先将含有磷源的气体通入一定温度的石英管内部,并维持预定时间以便所述磷源中的磷原子沉积于硅片上;然后通入预定量的含氧的气体于所述石英管内部,并维持预定时间以便于硅片表面形成氧化硅层;最后维持所述石英管于预定温度范围内一定时间以便步骤S 1中所述磷原子向硅片的晶体硅层和氧化硅层双方向推进;该扩散工艺中磷原子在推进时,不仅可以向硅片方向推进,而且同时可以向氧化硅层的方向推进,磷原子向双方向推进的方法可以在维持工艺总时间和工艺温度不变的前提下提升扩散方阻,减缓高浓度磷扩散对硅表面带来的晶格损伤,降低硅片表面晶格畸变率,提高晶体硅太阳能电池的制备质量。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 晶体 太阳能电池 生产 扩散 工艺 | ||
【主权项】:
一种用于晶体硅太阳能电池生产的磷扩散工艺,其特征在于,该工艺过程包括以下步骤:S1、将含有磷源的气体通入一定温度的石英管内部,并维持预定时间以便所述磷源中的磷原子沉积于硅片上;S2、通入预定量的含氧的气体于所述石英管内部,并维持预定时间以便于所述硅片表面形成氧化硅层;S3、维持所述石英管于预定温度范围内一定时间以便步骤S1中所述磷原子向所述硅片的晶体硅层和所述氧化硅层双方向推进。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的