[发明专利]一种调控硅表面太阳能吸收率的方法有效
| 申请号： | 201210216121.0 | 申请日： | 2012-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN102983180A | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 程强;卢佳;李萍萍;周怀春 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L31/0236 | 分类号： | H01L31/0236;H01L31/0232 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 曹葆青 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明属于光伏电池表面减反系统设计技术，具体为一种调控硅表面太阳能吸收率的方法，该方法是通过硅表面采用周期性凹形阶梯式亚波长光栅结构以提高硅表面对太阳能的吸收效率。本发明采用凹形阶梯式周期性光栅，合理利用不同简单光栅的辐射吸收特性，优化表面整体吸收效率。使用凹形阶梯式光栅表面后，起到如下作用：1）增大表面积，使得接收到的光尽可能的多；2）使得光在结构内部形成多重反射、衍射和吸收；3）凹形阶梯式光栅的辐射特性由多个槽深不等的简单光栅的辐射特性相叠加而得到，能够更加有效的利用各简单光栅引起的异常效应进行组合优化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 调控 表面 太阳能 吸收率 方法 | ||
【主权项】：
一种调控硅表面太阳能吸收率的方法，其特征在于，该方法是硅表面采用周期性凹形阶梯式亚波长光栅结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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