[发明专利]半导体结构及其制作工艺有效
| 申请号： | 201210217772.1 | 申请日： | 2012-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN103515421B | 公开（公告）日： | 2018-03-27 |
| 发明（设计）人： | 蔡旻錞;黄信富;许启茂;林进富;陈健豪;陈威宇;孙启原;谢雅雪;郑存闵 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体结构及其制作工艺，该半导体结构包含有一功函数金属层、一（功函数）金属氧化层以及一主电极。功函数金属层位于一基底上。（功函数）金属氧化层位于功函数金属层上。主电极位于（功函数）金属氧化层上。此外，本发明也提供一种半导体制作工艺，用以形成上述的半导体结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制作 工艺 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包含有：功函数金属层，位于一基底上；功函数金属氧化层，位于该功函数金属层上；主电极，位于该功函数金属氧化层上；以及阻障暨润湿层，位于该功函数金属氧化层以及该主电极之间，且该阻障暨润湿层包含过渡层。
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