[发明专利]半导体装置及其制造方法、图像显示装置的制造方法无效
| 申请号： | 201210217911.0 | 申请日： | 2012-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN102867915A | 公开（公告）日： | 2013-01-09 |
| 发明（设计）人： | 桧森和雄 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L51/40 | 分类号： | H01L51/40;H01L51/05;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本技术提供了半导体装置及其制造方法以及图像显示装置的制造方法，半导体装置的制造方法包括：在基材上形成栅极电极；在基材和栅极电极上形成栅极绝缘层，其中，凹部形成在要形成沟道形成区域中；基于涂布法在凹部内形成包括有机半导体材料的沟道形成区域；以及从栅极绝缘层在沟道形成区域的部分上形成源极电极/漏极电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 图像 显示装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，包括：在基材上形成栅极电极；在所述基材和所述栅极电极上形成栅极绝缘层，其中，在所述栅极绝缘层的要形成沟道形成区域的区域形成有凹部；基于涂布法在所述凹部内形成由有机半导体材料构成的所述沟道形成区域；以及在所述栅极绝缘层上到所述沟道形成区域的一部分上形成源极电极/漏极电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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