[发明专利]一个基岛上同一工位的双芯片或多芯片的封装工艺

摘要

本发明涉及半导体（集成电路）制造后道工序——封装工序中的粘晶工序。一个基岛上同一工位的双芯片或多芯片的封装工艺，采用一台封装设备上两个绑定头按如下步骤进行封装：第一步预热：双芯片或多芯片分别进行加热；第二步点双锡点：加热后的芯片在设定坐标内移动，移动到位后分别对各芯片点双锡点；第三步压膜：预先设计XY方向点坐标，实现芯片两次压膜，伺服马达向XY方向设定的坐标移动间距，完成压膜双点成型或单点成型；第四步绑定芯片：冷却到温度300℃-350℃后，芯片成品收进全自动下料盒。本发明工艺简单，一次封装成型，大大降低了重复加热对芯片的损伤，并且提高了芯片的加工效率。

主权项

一个基岛上同一工位的双芯片或多芯片的封装工艺，其特征是：采用一台封装设备上两个绑定头按如下步骤进行封装：第一步预热：双芯片或多芯片分别放置在原材料框架上，原材料框架通过上料结构相对运行进入轨道温区，对芯片进行加热；第二步点双锡点：加热后的芯片在设定坐标内移动，移动到位后分别对各芯片点双锡点；第三步压膜：点双锡点后的芯片，压膜系统XY方向的伺服马达，根据人机交换界面，预先设计XY方向点坐标，实现芯片两次压膜，伺服马达向XY方向设定的坐标移动间距，实现两点或多点间的移动，完成压膜双点成型或单点成型；第四步绑定芯片：利用热电偶实时监测轨道内的温度，并进行给定温度的补偿来保持工艺温度平稳冷却，冷却到温度300℃‑350℃后，芯片成品收进全自动下料盒。