[发明专利]一种横向扩散场效应晶体管结构和制作方法

摘要

本发明提供了一种横向扩散场效应晶体管结构和制作方法,利用N阱版图和与N阱版图部分重叠的P阱版图制作具有重叠区域的漂移区和阱区，且该重叠区域位于栅极下方，形成一个离子注入浓度梯度缓慢变化，同时耗尽区宽度较宽的PN结，减小了现有技术中漂移区与阱区交界处PN结的电场强度，从而减小热载流子注入效应，改善横向扩散场效应晶体管的可靠性。

主权项

一种横向扩散场效应晶体管的制作方法，提供一半导体衬底，该方法包括：制作用于定义阱区的第一版图；制作用于定义漂移区的第二版图；在半导体衬底上定义出有源区，通过刻蚀制作出浅沟槽隔离；分别按照所述第一、第二版图在所述半导体衬底中制作阱区和漂移区，所述阱区和所述漂移区具有重叠区域；在所述阱区和漂移区的上方制作栅极氧化层以及栅极多晶硅层；在所述栅极多晶硅层侧壁形成侧墙；在所述侧墙的两侧的所述阱区和漂移区中通过自对准离子注入分别形成源漏区。