[发明专利]一种垂直结构功率器件无效
| 申请号： | 201210220160.8 | 申请日： | 2010-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN102738242A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 唐纳德·R·迪斯尼;邢正人 | 申请（专利权）人： | 成都芯源系统有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人： | 徐宏;詹永斌 |
| 地址： | 611731 四川省成都*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种垂直结构功率器件，其目的是以更低成本提供更高性能的功率器件，本发明中，垂直结构功率器件包括：漏区，所述漏区包括具有第一导电类型的第一半导体材料；漂移区，所述漂移区与所述漏区邻接且所述漂移区包括n型柱、p型柱和绝缘区，所述n型柱、p型柱和绝缘区相互并列；过渡区，所述过渡区位于所述漏区和漂移区之间；体区，所述体区包括具有第二导电类型的第二半导体材料，所述第二导电类型同所述第一导电类型相反，所述体区和所述漏区被所述漂移区隔开；源区，所述源区具有第一导电类型且位于所述体区内，所述源区同所述漂移区隔开。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 结构 功率 器件 | ||
【主权项】：
一种垂直结构功率器件，包括：漏区，所述漏区包括具有第一导电类型的第一半导体材料；漂移区，所述漂移区与所述漏区邻接且所述漂移区包括n型柱、p型柱和绝缘区，所述n型柱、p型柱和绝缘区相互并列；过渡区，所述过渡区位于所述漏区和漂移区之间；体区，所述体区包括具有第二导电类型的第二半导体材料，所述第二导电类型同所述第一导电类型相反，所述体区和所述漏区被所述漂移区隔开；源区，所述源区具有第一导电类型且位于所述体区内，所述源区同所述漂移区隔开。
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