[发明专利]超低介电材料的化学机械抛光方法

摘要

本发明提出一种超低介电材料的化学机械抛光方法，包括如下步骤：采用碳氢化合物气体处理第一介电层的表面形成第一碳层；在第一碳层、第一介电层和第一介质阻挡层中形成第一沟槽，对在第一沟槽侧壁上形成的第一扩散阻挡层上进行金属沉积后形成的第一沟槽电镀铜进行化学机械抛光，再沉积第二介质阻挡层、第二介电层；采用碳氢化合物气体处理第二介电层的表面形成第二碳层；形成第一通孔和第二沟槽；沉积第二扩散阻挡层；在第二扩散阻挡层上对第一通孔和第二沟槽进行金属填充；对上述结构进行化学机械抛光工艺，停止在第二碳层上。本发明提供了一种超低介电材料的化学机械抛光方法，以减少化学机械抛光对超低介电常数薄膜产生损失的表面处理方法。

主权项

一种超低介电材料的化学机械抛光方法，包括如下步骤：提供一基底层，在所述基底层上由下至上依次沉积第一介质阻挡层、第一介电层；采用碳氢化合物气体等离子体化学气相沉积工艺处理第一介电层的表面形成第一碳层；采用蚀刻工艺由上至下依次蚀刻第一碳层、第一介电层和第一介质阻挡层，在第一碳层、第一介电层和第一介质阻挡层中形成第一沟槽，并在第一沟槽的侧壁上形成第一扩散阻挡层后，再进行金属沉积，形成第一沟槽电镀铜，对上述结构进行化学机械抛光工艺，并停止在第一碳层的表面上，再在第一碳层和第一沟槽电镀铜的表面上由下至上依次沉积第二介质阻挡层、第二介电层；采用碳氢化合物气体等离子体化学气相沉积工艺处理第二介电层的表面形成第二碳层；采用蚀刻工艺由上至下依次蚀刻第二碳层、第二介电层、第二介质阻挡层，自上而下形成相连通的第一通孔和第二沟槽；在第一通孔的侧壁和第二沟槽的内表面以及第二碳层上沉积第二扩散阻挡层；在第二扩散阻挡层上进行金属沉积直至第一通孔和第二沟槽中填满金属为止，形成第一通孔电镀铜和第二沟槽电镀铜；对上述结构进行化学机械抛光工艺，并停止在第二碳层表面上。