[发明专利]叠层高熔点焊接层及其制造方法以及半导体器件有效
| 申请号： | 201210220419.9 | 申请日： | 2012-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN102856282B | 公开（公告）日： | 2017-09-19 |
| 发明（设计）人： | 大塚拓一;奥村启树 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/492 | 分类号： | H01L23/492;H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 马永利,李浩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及叠层高熔点焊接层及其制造方法以及半导体器件。一种叠层高熔点焊接层包括叠层结构，其层叠多个三层结构，各个三层结构包括低熔点金属薄膜层以及置于低熔点金属薄膜层的表面和背面表面上的高熔点金属薄膜层；第一高熔点金属层，置于叠层结构的表面上；以及第二高熔点金属层，置于叠层结构的背面表面上。低熔点金属薄膜层和高熔点金属薄膜层通过TLP相互熔成合金，并且叠层结构以及第一高熔点金属层和第二高熔点金属层通过TLP接合相互熔成合金。 | ||
| 搜索关键词： | 层高 熔点 焊接 及其 制造 方法 以及 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种叠层高熔点焊接层，包括：叠层结构，其层叠多个三层结构，各个三层结构包括低熔点金属薄膜层以及置于所述低熔点金属薄膜层的表面和背面表面上的高熔点金属薄膜层，其中所述多个三层结构中的所述低熔点金属薄膜层的厚度与所述高熔点金属薄膜层的厚度的比率被设定为不大于1:1；第一高熔点金属层，置于所述叠层结构的表面上；以及第二高熔点金属层，置于所述叠层结构的背面表面上，其中所述低熔点金属薄膜层和所述高熔点金属薄膜层通过瞬间液相接合相互熔成合金，并且所述叠层结构以及所述第一高熔点金属层和所述第二高熔点金属层通过瞬间液相接合相互熔成合金。
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