[发明专利]半导体结构及其制作工艺有效
| 申请号： | 201210223143.X | 申请日： | 2012-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN103515285B | 公开（公告）日： | 2018-03-27 |
| 发明（设计）人： | 刘志建;张家隆;陈哲明;李瑞珉;林育民 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体结构及其制作工艺，该半导体结构位于一基底的一凹槽中。半导体结构包含有一衬垫层、一富硅层以及一填充材料。衬垫层位于凹槽的表面。富硅层位于衬垫层上。填充材料位于富硅层上并填满凹槽。此外，本发明也提出一种半导体制作工艺用以形成前述的半导体结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制作 工艺 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，位于一基底的一凹槽中，该半导体结构包含有：衬垫层，位于该凹槽的表面；富硅层，位于该衬垫层上；以及填充材料，位于该富硅层上并填满该凹槽；其中该富硅层包含含氧的富硅层；且该含氧的富硅层的含氧量呈梯度分布；其中该富硅层包含硅质层、氮化硅层、氧化硅层、氮氧化硅层或氮化碳硅层；其中该梯度分布是自该填充材料与该富硅层的接触面向该富硅层与该衬垫层的接触面递减。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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