[发明专利]双极性薄膜晶体管及其制造方法

摘要

本发明提供一种双极性薄膜晶体管及其制造方法，利用金属氧化物半导体和有机半导体作为n型TFT和p型TFT的沟道材料，在不同的电压偏置下能够提供n型TFT和p型TFT两种驱动，同时本发明的双极性薄膜晶体管的结构和制作工艺简单。

主权项

一种双极性薄膜晶体管，其特征在于，包括：衬底；栅电极，位于在所述衬底上；第一绝缘介质层，位于所述栅电极上；金属氧化物半导体有源区，位于所述第一绝缘介质层上并暴露出所述第一绝缘介质层的顶部边缘；第二绝缘介质层，位于所述金属氧化物半导体有源区上；源极和漏极，覆盖所述金属氧化物半导体有源区以及第二绝缘介质层的侧壁，底部延伸并覆盖暴露出的部分所述第一绝缘介质层的顶部边缘，顶部延伸并覆盖所述第二绝缘介质层顶部边缘；有机半导体有源区，与所述金属氧化物半导体有源区的导电类型相反，覆盖在所述第二绝缘介质层、源极和漏极的顶部。