[发明专利]用于改进基板可重用性的边缘排除剥离方法有效
| 申请号： | 201210225112.8 | 申请日： | 2012-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN102856232A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | S.W.比德尔;K.E.福格尔;P.A.劳罗;D.K.萨达纳;D.沙尔杰迪;N.E.索萨科尔特斯 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开一种用于改进基板可重用性的边缘排除剥离方法，其中采用边缘排除区域使得剥离期间与边缘相关的基板破裂最小化，其中应力施加层要么不存在（在沉积期间或者在后来的移除期间被排除），要么存在但是有效地不粘附于排除区域中的基板表面。在一个实施例中，所述方法包括在基底基板的上表面上并且靠近基底基板的边缘形成边缘排除材料。然后，在基底基板的上表面的暴露部上以及边缘排除材料的顶上形成应力施加层。接着，剥离基底基板的位于应力施加层下方并且没有被边缘排除材料覆盖的部分。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 改进 基板可 重用 边缘 排除 剥离 方法 | ||
【主权项】：
一种从基底基板移除材料层的方法，包括：在基底基板的上表面上并且靠近所述基底基板的边缘形成边缘排除材料；在所述基底基板的所述上表面的暴露部分上以及所述边缘排除材料的顶上形成应力施加层；以及剥离基底基板的位于所述应力施加层下方并且没有被所述边缘排除材料覆盖的部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
