[发明专利]一种具有电荷补偿沟槽肖特基半导体装置及其制备方法

摘要

本发明公开了一种具有电荷补偿沟槽肖特基半导体装置，其中第一导电半导体材料与第二导电半导体材料可以形成电荷补偿结构，同时器件表面沟槽存在可以降低第一导电半导体材料表面肖特基结的电场强度，从而提高器件的反向击穿电压；本发明还提供了一种具有电荷补偿沟槽肖特基半导体装置的制备方法。

主权项

一种具有电荷补偿沟槽肖特基半导体装置，其特征在于：包括：衬底层，为半导体材料构成；漂移层，为第一导电半导体材料，位于衬底层之上；多个沟槽，位于漂移层中，沟槽内填充第二导电半导体材料，沟槽内填充第二导电半导体材料表面低于漂移层表面，沟槽侧壁具有绝缘材料层将第一导电半导体材料与第二导电半导体材料进行隔离，第一导电半导体材料上表面设置绝缘材料层；第二类型肖特基势垒结或欧姆接触区，位于第二导电半导体材料上表面；第一类型肖特基势垒结，位于第一导电半导体材料上部侧壁表面；上下表面金属层，位于半导体装置上下表面，其中上表面金属层填充沟槽内上部和覆盖第一导电半导体材料上表面绝缘材料层，连接第一类型肖特基势垒结和第二导电半导体材料上表面。