[发明专利]电子标签中天线的限幅电路无效
| 申请号： | 201210225642.2 | 申请日： | 2012-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN103530670A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 曾维亮 | 申请（专利权）人： | 成都市宏山科技有限公司 |
| 主分类号： | G06K19/067 | 分类号： | G06K19/067 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610000 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了电子标签中天线的限幅电路，包括第一N沟道增强型场效应管、第二N沟道增强型场效应管、第三N沟道增强型场效应管、第四N沟道增强型场效应管、第三电阻、第四电阻、第一电容及第二电容，第二电容两端分别串联第三电阻和第四电阻后与第一电容并联构成串并联线路，该串并联线路设有第三电阻的一端与第三N沟道增强型场效应管漏极和第四N沟道增强型场效应管漏极之间的线路连接，其另一端接地，第一N沟道增强型场效应管和第二N沟道增强型场效应管两者的栅极均与第二电容和第四电阻之间的线路连接。采用上述结构，整体结构简单，便于实现，且在实现天线的电压限幅时不会对功率产生影响。 | ||
| 搜索关键词： | 电子标签 天线 限幅 电路 | ||
【主权项】：
电子标签中天线的限幅电路，其特征在于：包括第一N沟道增强型场效应管（N1）、第二N沟道增强型场效应管（N2）、第三N沟道增强型场效应管（N3）、第四N沟道增强型场效应管（N4）、第三电阻（R3）、第四电阻（R4）、第一电容（C1）及第二电容（C2），第三N沟道增强型场效应管（N3）和第四N沟道增强型场效应管（N4）均为二极管连接的MOS管，所述第三N沟道增强型场效应管（N3）的漏极和源极分别与第四N沟道增强型场效应管（N4）漏极和第一N沟道增强型场效应管（N1）漏极连接，第二N沟道增强型场效应管（N2）的漏极与第四N沟道增强型场效应管（N4）源极连接，第一N沟道增强型场效应管（N1）源极和第二N沟道增强型场效应管（N2）源极均接地，所述第二电容（C2）两端分别串联第三电阻（R3）和第四电阻（R4）后与第一电容（C1）并联构成串并联线路，该串并联线路设有第三电阻（R3）的一端与第三N沟道增强型场效应管（N3）漏极和第四N沟道增强型场效应管（N4）漏极之间的线路连接，其另一端接地，所述第一N沟道增强型场效应管（N1）和第二N沟道增强型场效应管（N2） 两者的栅极均与第二电容（C2）和第四电阻（R4）之间的线路连接；所述第一N沟道增强型场效应管（N1）漏极和第三N沟道增强型场效应管（N3）源极之间的线路上连接有第一天线信号输入端（Ant1），第二N沟道增强型场效应管（N2）漏极与第四N沟道增强型场效应管（N4）漏极之间的线路上连接有第二天线信号输入端（Ant2）。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都市宏山科技有限公司，未经成都市宏山科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210225642.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
