[发明专利]一种西地那非分子印记膜电化学传感器的制备方法无效

专利信息
申请号: 201210225721.3 申请日: 2012-06-29
公开(公告)号: CN102768232A 公开(公告)日: 2012-11-07
发明(设计)人: 周学敏;姜慧君;韩青;李芸;文婷婷;薛诚 申请(专利权)人: 南京医科大学
主分类号: G01N27/30 分类号: G01N27/30;G01N27/26
代理公司: 南京天华专利代理有限责任公司 32218 代理人: 徐冬涛;吕鹏涛
地址: 210029 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 本申请公开了一种西地那非分子印记膜电化学传感器的制备方法,该方法依次经过电极预处理、分子层层自组装修饰电极、分子印记层自组装、电聚合反应以及模板分子洗脱等步骤制备得到西地那非分子印记膜电化学传感器(MIES)。本发明制备的分子印记电化学传感器具有选择性高、响应快速、灵敏度高、稳定性和耐受性良好等特点,可实现复杂基质中西地那非的高效、灵敏和实时检测。它不仅能维护广大消费者的合法权益,而且能更好地保障他们的身体健康安全,从而使广大消费者在对补肾壮阳类中药保健品、食品的选购方面具有更加清晰的认识,这对完善我国药事管理与法规,规范药品生产企业的行为,净化中药保健品市场具有极为重要的推动作用。
搜索关键词: 一种 分子 印记 电化学传感器 制备 方法
【主权项】:
一种西地那非分子印记膜电化学传感器的制备方法,其特征在于包括以下步骤:a)电极预处理:将玻碳电极抛光后清洗;b)分子层层自组装修饰电极:将预处理后的电极浸入到含PDDA的水溶液中,进行静电吸附后用冲洗干净并吹干;再将其浸入至带负电的氧化还原石墨烯PSS‑RGO溶液,浸渍后洗净、吹干;继续浸入到带正电的氧化还原石墨烯PDDA‑RGO溶液中,浸渍后洗净、吹干;重复前述浸入带负电的氧化还原石墨烯PSS‑RGO溶液和带正电的氧化还原石墨烯PDDA‑RGO溶液的步骤,以每RGO‑/RGO+为一层,重复浸渍10~20层,得到10~20层RGO的分子层层自组装修饰电极;c)分子印记自组装溶液:配制含苯二胺类功能单体和西地那非的乙醇/HAC‑NaAC缓冲液,将其用氮气除氧后密封,20℃~30℃避光环境中放置5~20h,得到分子印记自组装溶液;其中,西地那非和苯二胺类功能单体的摩尔浓度比为1:1~1:50;d)电聚合反应:将步骤c)得到的分子印记自组装溶液倒入反应容器中,避光,通氮气后,插入步骤b)得到的RGO层层自组装修饰的玻碳电极,于+0.2~1.0V电位下,采用计时电流电聚合400~800s,取出,淋洗、吹干;e)洗脱模板分子:将步骤d)得到的电极浸入H2SO4溶液中,在‑0.8~+0.2V电位下处理3~10min。
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